產(chǎn)品資訊｜宇騰科技GaN功率器件突破1200V
發(fā)布時間：2024-07-29
近日，陜西宇騰電子科技有限公司（以下簡稱“宇騰科技”）氮化鎵功率芯片技術(shù)實現(xiàn)新突破，公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍寶石基氮化鎵功率器件（GaN -on-Sapphire HEMT），工作電壓（Vds）可達1200V，已進入量產(chǎn)階段并通過可靠性測試。
宇騰科技藍寶石基氮化鎵功率器件工作電壓可達到1200V，目前已量產(chǎn)四種型號，規(guī)格分別為：150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A、50mΩ/30A。這一突破證明藍寶石基氮化鎵在功率器件市場具有巨大潛力，能夠為新能源汽車領(lǐng)域帶來更高的性能、更低的成本和更長的續(xù)航。相較于硅基氮化鎵，藍寶石基氮化鎵提供了更高的電絕緣性能，這使得藍寶石基氮化鎵功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)超過1200V的關(guān)態(tài)擊穿電壓，同時保持了器件的高電子遷移率和低電阻特性。針對宇騰科技1200V藍寶石基氮化鎵系列產(chǎn)品，25mΩ/60A規(guī)格產(chǎn)品正在開發(fā)測試中，預(yù)計2024年Q4實現(xiàn)量產(chǎn)。
在氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)，外延片的質(zhì)量影響著下游芯片端、器件端的品質(zhì)和性能。宇騰科技在氮化鎵外延技術(shù)上保持創(chuàng)新與挑戰(zhàn)的態(tài)度，不斷優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì)并與上下游產(chǎn)業(yè)鏈保持良好的合作。以氮化鎵為原料的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，將以突破性的性能和廣闊的應(yīng)用場景，成為科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要驅(qū)動力。
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