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       5月9日，據(jù)臺媒報道，聯(lián)電正加速擴大第三代半導體布局，主攻8英寸晶圓第三代半導體制造領域，近期大舉購置新機臺擴產(chǎn)，預計下半年將進駐8英寸AB廠。

       此前，聯(lián)電早有進軍第三代半導體的跡象。

       2021年12月29日，據(jù)臺媒報道，聯(lián)電已通過投資聯(lián)穎，切入第三代半導體領域。聯(lián)電計劃從6英寸GaN入手，之后將展開布局SiC，并向8英寸晶圓發(fā)展。公司透露，第三代半導體制程將從CMOS轉(zhuǎn)換而來，未來將伺機擴產(chǎn)。

       聯(lián)電表示，公司早已開始布局第三代半導體，并且與比利時微電子研究中心（IMEC）進行技術研發(fā)合作，現(xiàn)正積極將相關技術朝平臺化發(fā)展，為IC設計業(yè)者提供標準化的技術平臺。

       針對這項技術平臺的建立，聯(lián)電將會以提供功率、射頻元件方案為主，初期會以GaN技術先行。

       IMEC是全球知名獨立公共研發(fā)平臺、半導體業(yè)內(nèi)指標性研發(fā)機構，英特爾、三星、臺積電、高通等均與其有合作。

       目前，GaN代工市場以臺廠布局最為積極。臺積電、世界先進等傳統(tǒng)硅晶圓Foundry正在向這個市場靠攏，另外還包括X-Fab等特種工藝Foundry。

       從GaN功率產(chǎn)業(yè)鏈來看，目前GaN-on-Si已成為GaN功率器件主流結(jié)構。

       外延方面，全球主流GaN外延片供貨商依舊集中在歐洲國家及日本，中國企業(yè)尚未進入供給端第一梯隊。除了純粹的外延廠以外，部分晶圓代工廠在產(chǎn)業(yè)鏈上進行延伸，同樣具備外延能力。

       器件方面，面向消費市場的650V GaN產(chǎn)品已經(jīng)形成了批量供貨能力，但更高壓器件仍然較少。

       根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，Navitas/PI/英諾賽科將占據(jù)2021年GaN功率市場前三名。與此同時，全球GaN功率市場規(guī)模預計將從2020年的4800萬美元增長到2025年的13.2億美元，CAGR達94%。

       從GaN射頻產(chǎn)業(yè)來看，目前具備相應技術的代工廠主要有Wolfspeed、穩(wěn)懋、宏捷科、GCS、UMS、OMMIC等。

       目前，除聯(lián)電之外，臺積電、世界先進等其他廠商也緊握第三代半導體這一機遇。   

       臺積電自2014年開始布局第三代半導體，目前已小批量提供6英寸GaN晶圓代工服務。同時，公司針對車用領域，與意法半導體合作開發(fā)GaN制程，而Navitas（GaN消費市場龍頭）、GaN Systems等廠商也已在臺積電投片，生產(chǎn)高壓功率半導體器件。

       世界先進已展開8英寸GaN on Si研發(fā)，已有超過10家客戶進行產(chǎn)品設計，臺灣電子時報指出，該技術可靠性與良率已接近量產(chǎn)階段。

       硅晶圓廠商環(huán)球晶于2021年宣布，將大幅擴產(chǎn)第三代半導體，GaN及SiC產(chǎn)能均將翻倍增長。

       漢磊暨嘉晶董事長徐建華在2021年表示，漢磊將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元，增加6英寸SiC產(chǎn)能達5～7倍，GaN月產(chǎn)能明年倍增至2,000片。嘉晶預計將投入5,000萬美元擴產(chǎn)，將SiC基板產(chǎn)能擴增7～8倍，GaN基板產(chǎn)能計劃提高2～2.5倍。